JURNAL PRAKTIKUM TRANSISTOR
Nama : Hamdi Noval
Tanggal Praktikum : 9 September 2025
NIM : 2410951013
Asisten Praktikum : Faren Muhamad Abdad, Aulia Rahma Okto Bendsi
Kelompok : 15
1. Fixed Bias
Tabel 4.1 Percobaan fixed
bias
|
Parameter |
Nilai Pengukuran |
|
Vrb |
11,72 V |
|
Vrc |
19,48 V |
|
Vb |
12,37 V |
|
Vc |
12,37 V |
|
Vbe |
0,263 V |
|
Vce |
12,4 V |
|
Ib |
1,03 mA |
|
Ic |
1,08 mA |
|
Gelombang Input |
Gelombang Output |
|
|
2. Emitter Stabillized Bias
Tabel 4.2 Percobaan emitter stabillized bias
|
Parameter |
Nilai Pengukuran |
|
Vrb |
10,16 V |
|
Vrc |
10,68 V |
|
Vre |
1,543 V |
|
Vb |
2,182 V |
|
Vc |
1,714 V |
|
Ve |
1,548 V |
|
Vbe |
2,185 V |
|
Vce |
165,7 mV |
|
Ib |
1,02 mA |
|
Ic |
1,08 mA |
Gelombang Input | Gelombang Output |
|
3.
Self Bias
Tabel 4.3 Percobaan self bias
|
Parameter |
Nilai Pengukuran |
|
Vrc |
10,16 V |
|
Vrb |
10,68 V |
|
Vre |
1,543 V |
|
Vb |
2,182 V |
|
Vc |
1,714 V |
|
Ve |
1,548 V |
|
Vbe |
2,185 V |
|
Vce |
165,7 mV |
|
Ib |
1,02 mA |
|
Ic |
1,08 mA |
Gelombang Input | Gelombang Output |
|
4.
Voltage Divider Bias
Tabel 4.4 Percobaan
voltage divider bias
|
Parameter |
Nilai Pengukuran |
|
VR1 & VR2 |
11,57 V & 1,393 V |
|
Vrc |
4,7 mV |
|
Vre |
4,7 mV |
|
Vb |
8,4 mV |
|
Vc |
138,9 mV |
|
Ve |
93,7 mV |
|
Vbe |
12,34 V |
|
Vce |
17,9 mV |
|
Ib |
1,03 mA |
|
Ic |
1,07 mA |
Gelombang Input | Gelombang Output |
|
5.
Power IC dengan Regulator
|
Ic |
Vin |
Kapasitor |
Resistor |
Vout |
|
7805 |
7 V |
1 uF & 0,1 uF |
100 Ω |
5,9 V |
|
7809 |
12 V |
1 uF & 0,1 uF |
100 Ω |
9,24 V |
|
7812 |
12 V |
1 uF & 0,1 uF |
100 Ω |
8,31 V |
1.Fixed Bias
Prinsip kerja fixed bias pada transistor adalah dengan memberikan arus bias ke terminal basis melalui sebuah resistor yang langsung terhubung ke sumber tegangan DC. Arus basis yang mengalir ini kemudian memicu arus kolektor sehingga transistor dapat beroperasi pada daerah aktif sebagai penguat. Besarnya arus basis bersifat tetap, karena hanya ditentukan oleh nilai resistor dan tegangan sumber, sehingga titik kerja transistor juga bergantung langsung pada kondisi tersebut. Namun, karena tidak ada mekanisme pengendalian otomatis, titik kerja transistor mudah berubah jika terjadi variasi suhu atau perubahan faktor penguatan transistor, sehingga stabilitas rangkaiannya kurang baik meskipun bentuknya sederhana.
2.Emitter Stabillized Bias
4.Voltage Divider
5.Power IC dengan Regulator
Gambar IC regulator dengan
resistor
Prinsip kerja IC regulator adalah mengatur dan menstabilkan tegangan keluaran agar tetap konstan, meskipun terjadi perubahan pada tegangan masukan atau beban yang terhubung.
1.Percobaan Fixed Bias
1.Analisa prinsip kerja dari rangkaian self bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan.
Jawab :
Berdasarkan hasil pengukuran pada rangkaian self bias, terlihat bahwa tegangan basis bernilai sekitar 2,182 V dan tegangan emitter sebesar 1,548 V. Selisih antara keduanya menghasilkan tegangan basis–emitor sekitar 0,63 V yang sesuai dengan karakteristik normal transistor silikon. Hal ini menunjukkan bahwa transistor memang telah dibias maju pada bagian basis–emitor. Resistor emitter juga menghasilkan tegangan sebesar 1,543 V.
Namun, nilai tegangan kolektor–emitor (VCE) yang hanya sebesar 0,165 V menunjukkan bahwa transistor berada dalam kondisi hampir jenuh, bukan di daerah aktif . Kondisi ini juga didukung oleh perbandingan arus kolektor dan arus basis yang hampir sama (IC ≈ IB), sehingga nilai penguatan arus (β) terlihat sangat kecil. Artinya, arus basis yang diberikan terlalu besar dibanding kemampuan kolektor untuk mengalirkan arus sesuai beban, sehingga transistor tidak dapat bekerja optimal sebagai penguat.
2.Analisa prinsip kerja dari rangkaian voltage divider bias berdasarkan nilai parameter yang didapatkan ketika percobaan.
Jawab :
Berdasarkan hasil pengukuran pada rangkaian voltage divider bias, diperoleh tegangan pembagi (VR1 dan VR2) sebesar 11,57 V dan 1,393 V yang berfungsi membentuk tegangan bias di terminal basis. Tegangan basis (VB) tercatat sebesar 8,4 mV dan tegangan emitter (VE) sebesar 93,7 mV, sehingga nilai VBE yang terukur adalah 12,34 V. Nilai ini jauh lebih tinggi dibandingkan karakteristik normal transistor silikon (sekitar 0,7 V), sehingga dapat disimpulkan bahwa transistor tidak bekerja pada daerah aktif. Hal ini juga diperkuat dengan tegangan kolektor–emitor (VCE) yang sangat rendah, yaitu hanya 17,9 mV.
Arus basis (IB) yang terukur adalah 1,03 mA dan arus kolektor (IC) sebesar 1,07 mA. Perbandingan IC terhadap IB menunjukkan bahwa transistor tidak memberikan penguatan arus yang signifikan, melainkan hanya sedikit lebih besar dari arus basis. Meskipun konfigurasi voltage divider bias secara teori berfungsi untuk menghasilkan titik kerja yang stabil dan tidak bergantung besar kecilnya β transistor, hasil percobaan menunjukkan bahwa konfigurasi resistor menyebabkan transistor bekerja di daerah saturasi.
Secara prinsip, voltage divider bias tetap bekerja dengan mekanisme pembagi tegangan pada basis yang digabung dengan resistor emitter sebagai umpan balik negatif, sehingga titik kerja menjadi lebih stabil. Namun, pada percobaan ini nilai resistor yang dipakai atau kesalahan pada alat seperti multimeter atau jumper dan juga modul membuat transistor tidak berada di daerah aktif, sehingga fungsi penguatan tidak tercapai secara ideal.
3.Analisa pengaruh variasi kapasitor dan resistor terhadap output pada rangkaian Power Supply dengan IC Regulator.
Kapasitor di rangkaian regulator berguna agar tegangan keluarannya tetap stabil, mengurangi noise. Resistor 100 Ω berguna sebagai beban, semakin kecil nilai resistornya, arus yang mengalir semakin besar sehingga tegangan output menurun.
Jadi semakin besar nilai kapasitor, tegangan keluaran makin stabil karena kapasitor bisa menyimpan muatan lebih banyak dan meredam riak (ripple) lebih baik, resistor sebagai beban dalam rangkaian, dan tegangan input harus selalu lebih tinggi dari output.
Download File Laporan Akhir ( Download )
Download video penjelasan kondisi :( Download disini )
Download video percobaan satu ( Download disini )
Download video percobaan dua ( Download disini )
Download video percobaan empat ( Download disini )
Download video percobaan lima ( Download disini )
Download Datasheet Transistor : ( Download disini )
Komentar
Posting Komentar